机译:In xGa 1-xN背势垒对Al 0.31Ga 0.69N / AlN / GaN / In xGa 1-xN / GaN异质结构中位错密度的影响(0.05≤x≤0.14)
机译:In _xGa _(1-x)N背势垒对Al _(0.31)Ga _(0.69)N / AlN / GaN / In _xGa _(1-x)N / GaN异质结构中位错密度的影响(0.05 ≤x≤0.14)
机译:由于在Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中嵌入了AlN势垒层,二维电子气的载流子密度和迁移率发生了变化
机译:低位错密度无裂纹Al_xGa_1-xN(0.133≥x> 0.1)/ GaN异质结构的生长研究
机译:金属有机化学气相沉积法生长的GaN(x <0.15)上In(sub)xGa(sub)1-xN层的带隙能的成分依赖性
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:非极性InxGa1-xN / GaN多壳纳米管异质结构的发射彩色调谐的发光二极管微阵列
机译:In xGa 1-xN背势垒对Al 0.31Ga 0.69N / AlN / GaN / In xGa 1-xN / GaN异质结构中位错密度的影响(0.05≤x≤0.14)